A.
Câu hỏi phần BJT. “ câu trả lời là câu được bôi đỏ”
3.1. Giới thiệu về BJT.
1. Ba
điện cực của BJT là gì ?
a. phát [emitter], gốc [base], góp [collector]. b. T1, T2, T3.
c. nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]. d. emitter, gate, collector.
2. Mũi
tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ?
a.
dạng P; b. dạng N; c. dạng base; d. dạng PN.
3. Các
BJT được phân loại thành . . . .
a.
các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP.
c. các dụng cụ NNP và PPN. d. dạng N và
dạng P.
4. Ký
hiệu mạch của transistor PNP là . .b .
.
3.2. Cấu tạo của BJT.
5. Có
bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?
a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4.
6. Loại vật
liệu nào là vùng base của transistor PNP?
a.
dạng P. b. dạng N c. dạng base. d. dạng PN.
7. So
với vùng collector và emitter,
vùng base của BJT là . . . .
a.
rất
dày. b. rất mõng. c. rất mềm. d. rất cứng.
8.
Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi
được so với hai dòng collector
và emitter..
a.
nhỏ. b. lớn. c. nhanh. d. chậm.
|
9. Một
BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . . ..
a.
được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector.
c. được pha tạp loãng. d. được pha tạp như vùng emitter.
10. Dòng collector của BJT luôn luôn
. . . .
a. nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT. b. nhỏ hơn so với dòng base.
c. bằng dòng emitter. d. bằng dòng emitter trừ dòng base.
11. Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter .
. . . .
a. ra khỏi transistor thông qua cực collector. b. ra khỏi transistor thông qua cực base.
c. sẽ được hấp thụ bởi transistor. d. không phải các trường hợp trên.
12. Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter,
và collector ?
a. IE = IB + b. b. IC = IB + IE. c. IE = IB + IC. d. IB = IE + IC.
13. Tỷ số
của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . . . . .
a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha.
3.3. Chuyển mạch bằng BJT.
14. Khi
một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn bảo hoà, thì VCE xấp xĩ bằng
. . . . . . . .
a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V.
15. Khi
một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .
a. dòng base; b. điện trở tải; c. điện áp base; d. điện trở base.
16. Khi
một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì VCE xấp
xĩ bằng . . . . . .
a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V.
3.4. Trang số liệu và các thông số của BJT.
17. Ba
thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . .
a. rho nhỏ nhất; b. pi nhỏ nhất; c. dòng collector nhỏ nhất; d. dòng giử nhỏ
nhất.
18. Thông số
hfe sẽ
bằng với . . . . . . . . của transistor.
a. alpha; b. beta; c. dòng collector lớn nhất; d. dòng giử nhỏ
nhất.
3.5. Mạch khuyếch đại bằng transistor.
19.
|
Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì
. . . . . . .
a.
tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược;
b.
|
tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và
tiếp giáp base - collector được phân cực ngược; ếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận;
d. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận.
20. Để mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base - collector của BJT cần phải .
. .
. .
a. hở mạch; b.
kín mạch; c. được phân cực thuận; d. được phân cực ngược.
21.
Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại bằng BJT bằng . . . . . .
a. VB/VE; b. Vin / Vout; c. Vout / Vin; d. VCC
/ VC.
22. Điện áp phân cực tại collector (VC) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . . .
. . .
a. VCC; b. một nửa VCC; c. 0V; d. 0,2V.
3.6. Phân tích tín hiệu ở mạch khuyếch
đại phân cực base.
23. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . .
a. 1kW; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. không phải các trường hợp
trên.
24. Trở
kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . .
a. Rc; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. 1kW.
25. Độ lệch pha giữa hai
tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng
. . . . . . . .
a. 0o; b. 90o; c. 180o; d. 270o.
26. Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch
đại phân cực base là . . .
. . .
a. Av = VCC / Vc; b. Av = VB / VE; c. Av = rc / re; d. Av = RL x b.
3.7. Phép đo trở kháng vào và ra.
27. Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . .
. . .
a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng;
c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng.
28. Trở
kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . .
. .
a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng;
c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải.
3.8. Họ đặc tuyến ra của BJT.
29. Họ
đặc tuyến ra của BJT là đồ thị của . . . . . .
a. dòng base theo điện áp collector - emitter; b. dòng collector theo điện áp base - emitter;
c. dòng collector theo điện áp collector - emitter; d. dòng emitter theo điện áp base - emitter.
3.9.
Sai hõng trong mạch BJT.
|
|
30. Khi
kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . .
a.
sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp;
b.
sẽ
biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp collector - base;
|
ẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận ịch cao tr ếp giáp emitter
d. không phải các ý trên.
31.
Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở [ohmmeter] được nối đến base, còn đầu que âm được nối đến collector
của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
a. 0W; b. điện trở thấp; c. 5kW; d. điện trở cao.
32.
Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực
emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
a. 0W; b. điện trở thấp; c. 5kW; d. điện trở cao.
33.
Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ?
a. 0W; b. điện trở thấp; c. 5kW; d. điện trở cao.
34.
Giá trị điện áp trên collector
của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.
35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.
36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41,
là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.
37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.
38. Điện áp tín hiệu trên collector
của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 50mVpp; b.
0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.
39. Nếu tụ đầu ra (C2) ở
hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor
là bao nhiêu ?
a. 50mVpp; b.
0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.
B.
Bài tập.
1.
|
Nếu b =
80
ở
mạch hình 3.42, thì các trị số đọc được trên các đồng hồ IB, IE, IC, và VCE là
bao nhiêu ?
VRb = V1 – VBE = 1.7 – 0.7 = 1 V
à I B = VRb / Rb = 0.01 mA
à
IC = β IB = 0.8 mA IE = IB + IC = 0.81 mA
Vì E nối đất nên VE = 0 à
VCE = VC = V2 – VR2 = V2 – ICR2 = 10 – 0.8*6 = 5.2
V
2. Nếu dòng base là 30mA và dòng collector
là 4mA, thì giá trị của dòng emitter
là bao nhiêu?
IE = IB + IC = 0.03 + 4 = 0.43 mA
3. Nếu dòng base là 20mA và dòng collector
là 4mA, thì
giá trị của
beta là bao nhiêu ?
β = IC / IB
= 4/0.02 = 200
4.
Nếu transistor ở mạch hình 3.43, được
dùng
như
một
chuyển
mạch. Hãy tính điện áp tại collector khi transistor dẫn.
Khi trans dẫn thì VC
= 0.2 V
5. Tính điện áp collector
khi transistor ở mạch hình 3.43, ngưng dẫn.
|
Khi trans ngưng dẫn thì VC = VCC = 20 V
6.
|
|
Nếu b của
transistor trong mạch hình 3.43, bằng 50, thì trị số điện áp nhỏ nhất cần thiết tại đầu vào để transistor bão hoà là bao nhiêu ? Ta có : I
= V /R = 20/(5*103 = 4 mA à I = I / β = 4/50 = 0.08 mA
( thực ra trong trạng thái bão hòa thì VC giảm xuống 0.2V và VRc = VCC
– 0.2, nhưng nhỏ nên ta không xét) VRb = IB*Rb = 0.08*10 = 0.8 V
à VBB = VRb + VBE = 0.8 + 0.7 = 1.5 V
7. Khi
tín hiệu vào ở mạch ở hình 3.43, là 5V, thì giá trị b cần
thiết để làm cho transistor bão hoà là bao nhiêu ?
IB = ( VBB – VBE )/Rb = (5 – 0.7)/104 = 0.43 mA IC = VCC/RC = 20/5000 = 4 mA
à β = IC/IB = 4/0.43 = 9.3
8. Trong mạch hình 3.43, giả sử dòng collector là 4mA, và dòng vào là 0,5mA, nếu tăng dòng vào lên 1mA, thì dòng collector
sẽ bằng bao nhiêu ?
Khi tín hiệu dòng vào bằng 0.5mA thì mạch đã
hoạt động ở trạng thái dẫn bảo hòa, nên khi tăng dòng vào lên 1mA thì cũng không làm dòng IC thay đổi nên IC = 4mA
9. Nếu điện áp "mở" [on] tại đầu vào được cho là 3,7V, thì trị số điện trở vào lớn nhất có thể sử
dụng để nhận được sự bão hoà ở mạch hình 3.43 là bao nhiêu ? (bmin = 50). Ta có : IC = VCC/RC = 20/5000 = 4 mA à
IB = IC/β = 4/50 = 0.08 mA
Suy ra giá trị điện trở có thể sử dụng là Rb = (VBB – VBE)/IB = (3.7 – 0.7 )/(0.08*103) = 37.5 kΩ
10. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC. (b = 80). VB = VBE + VE = 0.7 V VC = 13.4 V
VC = VCC – VRc = 20 – ICRc
= 20 – βIBRc = 20 – 80*(20 – 0.7)*3300 / 775000
=
13.4 V
11. 
Cần
phải thay đổi giá trị điện trở Rb (775kW) ở mạch hình 3.44JC
Cần
phải thay đổi giá trị điện trở Rb (775kW) ở mạch hình 3.44JC
để tạo ra điện áp collector
bằng 10V (b = 80).
Ta có : VC = 10V à VRc
= VCC – VC = 20 – 10 = 10 V
à IC = VRc /Rc = 10/3300 = 3.03 mA à
IB = IC/β = 3.03/80 = 0.0379
mA
Vậy giá trị Rb là : Rb = (15 – 0.7 )/(0.0379*10-3)= 509 kΩ
12.
Ở mạch hình 3.45JC, nếu Rc
= 3,3kW, và beta là 120,
hãy tính trị số của Rb để mạch cho phân
cực điểm giữa (Vc = 7,5V)
Ta có : VRc = VCC – VC = 15 – 7.5 = 7.5 V
à IC = VRc / Rc = 7.5/3300 = 2.272 mA
à IB = IC/β = 2.272/120 = 0.0189 mA
à Rb = (VCC – VB)/IB = (15 - 0.7)/(0.0189*10-3) = 755 kΩ
|
13. Điện áp trên collector trong
mạch hình 3.45JC sẽ bằng bao
nhiêu nếu Rb = 755kW, Rc = 3,3kW, và b = 240 ?.
Ta có :
IB = (15 – 0.7)/755000 = 0.0189 mA à
IC = IBβ =
0.0189*240 = 4.536 mA Vậy : VRc = ICRc = 4.536*10-3*3.3*10-3 = 14.97 V
à VC = VCC – VRc = 15 - 14.97 =0.03 V
14.
Trong mạch hình 3.45JC,
nếu Rb = 600kW
và beta bằng 200, thì giá trị nào của Rc
sẽ thích hợp
cho phân cực điểm giữa (Vc = 7,5V) ?
Ta có : IB = (15 – 0.7)/600000 = 0.0238 mA à IC = βI B
= 200*0.0238 = 4.76 mA Vậy giá trị Rc là : Rc = (VCC – VC)/IC = (15 – 7.5)/4.76*10-3 = 1.57 kΩ
15.
Trong mạch hình 3.45JC,
nếu Rb là 800kW
và Rc là 4,7kW, thì beta cần thiết để cho phân cực điểm giữa (Vc = 7,5V) là bao nhiêu ?
Ta có : IB = (15 – 0.7)/800000 = 0.0179 mA
,
IC = (15 – 7.5)/4700 = 1.596 mA
à β = IC/IB = 1.596/0.0179 = 89
16. Trị
số của r'e,
zin, và zout của
mạch hình 3.46JC, là bao nhiêu ? r'e
= 16.6 Ω zin = 2486 Ω zout = 5 kΩ
ta có : IB = (VCC – VB)/Rb = (15 – 0.7)/1.43*106 = 0.01 mA
à IC = βIB = 150*0.01 = 1.5 mA
à
IE = IB + IC = 1.5 + 0.01 = 1.51 mA Vậy : re' = 25mV/IE = 25/1.51 = 16.6 Ω
Zin = Rb// βre = (1.43*106*150*16.6) / (1.43*106 + 150*16.6) = 2486 Ω
Zout = Rc = 5 kΩ
17. Hệ
số khuyếch đại điện áp của mạch ở hình 3.46JC, là bao nhiêu ? Av =
200
Hệ số khuyếch đại : AV = rc/re , ta có : rc = Rc//RL = 10*5/(10 + 5) = 3.33 kΩ
à AV = 3.33*103/16.6 = 200
18. Nếu
tụ điện C2 hở mạch, thì hệ số khuyếch đại điện áp của mạch hình 3.46JC,
bằng bao nhiêu
?
Av = 300
229
C2 hở mạch thì rc = Rc = 5 kΩ
à AV = 5*103 / 16.6 = 300
19. Đối
với mạch ở hình 3.47JC, hãy tính:
Vc = 6.42 V;
VB =
0.7 V; VE = 0 ; VCE = 6.42 V; zin = 2096 Ω; zout = 6 kΩ; Vout =
4.58 V; Av =
Ta có : IB = (VCC – VB)/Rb = (15 – 0.7)/1.2*103 = 0.01192 mA,
à IC = βIC = 0.01192*120 = 1.43 mV
à VRc = ICRC = 1.43*10-3*6*103 = 8.58 V Vậy : VC = VCC – VRc = 15 – 8.58 = 6.42 V
VE = 0 V à
VCE = VC – VE = 6.42 V VB = VBE + VE = 0.7 V
re = 25mV/(IB + IC) = 25/(1.43
+ 0.01192) = 17.4 Ω
rc = Rc//RL = 6*12/(6 + 12) = 4 kΩ
Vậy : Zin = Rb// βre = (1.2*106*120*17.4) / (1.2*106 + 150*17.4) = 2096 Ω
Zout = Rc = 6 kΩ
AV = rc/re = 4000/17.4 = 229
Vout = Vin AV = 0.02*229 = 4.58 V
20.
Đối với mạch hình 3.48JC, hãy xác định:
Vc = 7V ; VB
= 0.7V ; VE
= 0V ; VCE = 7V ; zin = 1596Ω; zout =4 kΩ; Vout = 4.8V ; Av =120
Giải tương tự bài 19
C.
Câu hỏi phần mạch BJT.
4.1. Giới thiệu.
1. Tại sao
cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ?
a.
do beta thay đổi theo nhiệt độ, b. do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng;
c. do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d. cả a và c.
2. Giá
trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . .
a. + 50% và - 50%; b. +50% và - 100%; c. + 100% và - 50%; d. + 100% và -
100%.
3. Nếu
beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch
đại như thế nào ?
a.
điện áp collector
sẽ thay đổi; b. dòng collector sẽ thay đổi;
c. dòng emitter sẽ thay đổi; d. tất cả các ý trên.
4.2. Phân cực
phân áp.
4. Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1 và
Rb2 được xem
là độc lập
với dòng base của transistor ?
a.
dòng base không chảy qua Rb1 hoặc Rb2;
b.
|
dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1 và Rb2;
c.
chỉ
có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1 và Rb2;
d.
tụ
nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp.
5. Trong các
mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn luôn bằng . . . . .
a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; d. 2V.
6. Trong các
mạch khuyếch đại phân cực phân áp, khi đã tính được điện áp emitter
DC, thì dòng collector
tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . .
a.
điện trở ở nhánh base; b. điện trở ở nhánh emitter; c. điện trở ở nhánh collector; d. điện trỏ
của tải.
7. Trong các
mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector
được tính bằng cách . . . . . . .
a.
nhân dòng collector với điện trở collector; b. nhân dòng collector với điện trở tải;
c. cộng điện áp base
với điện áp emitter; d. trừ sụt áp trên điện trở collector
khỏi điện
áp nguồn.
4.3. Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp.
8. Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là gì ?
a.
làm giảm độ ổn định; b. trở kháng ra thấp;
c. suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp; d. cả b và c.
9. Khi
tính trở kháng vào, hai điện trở base (Rb1 và
Rb2) xuất hiện dưới dạng
. . . . .
với các linh
kiện khác.
a.
nối
tiếp; b. nối tiếp / song song; c. song song; d. nối tiếp ngược
chiều nhau.
10.
Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . .
a. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base; b. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh
base;
c. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter; d. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh
emitter.
11. Trở
kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . .
a. điện trở collector; b. điện trở tải;
c. điện trở collector
mắc song song với điện trở tải; d. beta lần điện trở collector.
4.4. Các thay đổi ở mạch khuyếch đại phân cực phân áp.
12. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý
trên.
13.
|
Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ;
d. tất cả các
ý trên.
14. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ;
b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ;
d. tất cả các
ý trên.
15. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có méo dạng ít nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các
ý trên.
4.5. Mạch khuyếch
đại phân cực emitter.
16. Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter
thường bằng . . . . . .
a. 0V; b. 0,7V; c. 2V; d. Vcc.
17. Nhược điểm của mạch khuyếch
đại phân cực emitter
khi so với mạch khuyếch
đại phân cực
phân áp là mạch khuyếch
đại phân cực emitter
yêu cầu . . . . .
a. các transistor có beta cao hơn; b. hai nguồn cung cấp; c. giá trị Vcc cao hơn;
d. không phải các ý
trên.
18. Hệ
số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter
là . . . . .
a. phụ thuộc vào beta; b. được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực
phân áp;
c. bằng với b x re. d. luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh. đại phân cực
phân áp.
4.6. Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp.
19. Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . . . .
a. các tín hiệu tần số cao; b. các nguồn cung cấp điện áp thấp;
c. các mạch cần trở kháng vào rất cao; d. các mạch cần trở kháng ra rất thấp.
20. Trở
kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi . . . .
a. giá trị công suất trên điện trở collector; b. hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại;
c. giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d. cả b và c.
4.7. Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC.
21. Tại sao
cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?
a.
do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng;
b.
do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo ;
c.
do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước; d. cả b và c.
22. Một
trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ?
a.
các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC;
b.
các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau;
c.
các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại; d. cả b và
c.
23. Hệ
số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ
bằng với . . . . . . . .
a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích hệ số khuyếch đại điện áp của mổi
tầng;
c. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên; d. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối
24. Trở
kháng vào của toàn bộ
mạch khuyếch
đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích trở kháng vào
của mổi tầng;
c. trở kháng vào của tầng đầu tiên; d. trở kháng vào của tầng cuối cùng.
25. Trở
kháng ra của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với
. . . . . . . .
a. tổng trở kháng ra của mổi tầng; b. tích trở kháng ra của mổi tầng;
c. trở kháng ra của tầng đầu tiên; d. trở kháng ra của tầng cuối cùng.
4.8. Các tụ điện ghép tầng và rẽ mạch.
26. Trị
số điện dung của các tụ rẽ mạch và ghép tầng là một trong những yếu tố chính khi xác định .
. . . . .
a. tần số cắt thấp; b. hệ số khuyếch
đại điện áp; c. hệ số khuyếch đại dòng điện; d. tấn số cắt
cao.
27. Nếu
trở kháng vào của tầng thứ hai là 1kW, thì tụ ghép nối giữa tầng thứ nhất và tầng thứ hai
sẽ có Xc vào khoảng . . . . . đối với tần số thấp nhất sẽ được khuyếch đại.
a. 1W; b. 10W; c. 100W; d. 1kW; e. 10kW.
4.9. Các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp.
28. Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở chổ
chúng có thể khuyếch
đại . . . . . .
a. các mức tín hiệu lớn hơn; b. các tín hiệu tần số cao;
c. các mức tín hiệu nhỏ hơn; d. các tín hiệu tần số thấp.
29. Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề
. . . . . .
a. về hệ số khuyếch đại; b. về độ bảo hoà; c. về độ trôi DC; d. về trở kháng.
4.10. Sai
hỏng của các mạch bằng transistor.
30. Điện áp đo được trên collector của Q1 trong mạch hình 4.24JC, vào khoảng 20VDC,
a. mạch đúng chức năng; b. tụ C2 bị ngắn mạch; c. tụ C2 bị hở mạch; d. điện trở R1 bị hở
mạch.
31. Điện áp đo được trên collector của Q2 ở mạch hình 4.24JC, là 13,8VDC,
a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q2 bị hở mạch giữa collector
và emitter;
c. tụ C5 bị
ngắn mạch; d. điện trở R8 bị ngắn mạch.
32. Điện áp DC tại điểm nối của hai điện trở R4 và R5 ở mạch hình 4.24JC, bằng 0V.
a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor
Q1 bị ngắn mạch giữa collector
và emitter;
c. tụ C4 hở
mạch; d. điện trở R2 bị ngắn mạch.
33. Hệ
số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q2 ở mạch hình 4.24JC, gần bằng hai lần hệ số khuyếch đại tính được,
|
|
a. mạch đang đúng chức năng; b. tụ C3 hở mạch;
34. Hệ
số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q1 gần
bằng 3,
c. tụ C3 bị
ngắn mạch; d. tụ C5 bị hở mạch.
a. mạch đúng chức năng; b. tụ C4 hở mạch; c. tụ C4 bị
ngắn mạch; d. tụ C2 hở mạch.
D.
Bài tập.
1. Cho
mạch ở hình 4.25JC, hãy tính:
Vc = 10.25 V;
VB = 3,8 V;
VE =
3.1 V; VCE = 7,15 V; zin = 5,85 kΩ; zout =
2 kΩ;
Vout = 30mVp-p; Av =
1,5
Ta có : VB = VCCRb2/(Rb1 + Rb2) = 18*8/(30
+ 8) = 3,8 V
à VE = VB – VBE = 3.8 – 0.7 = 3.1 V
à IE = VE / Re = 3,1/800 = 3.875 mV
≈ IC
à VRc
= ICRc
= 3.875*2 = 7,75 V
à VC = VCC – VRc = 18 – 7,75 = 10.25 V
à VCE = VC – VE = 7,15 V
Ta có :
r b = Rb1 // Rb2 = 30*8 /(30 + 8) = 6.316 k Ω = 6316 Ω
Điện trở nội tiếp giáp : r'e = 25mV/IE = 25/3,875 = 6,45 Ω
Vậy re = r'e + Re = 6.45 + 800 = 806.45 Ω
à Zin = r b//(βre) = 6316*100*806,45 / (6316 + 100*806,45)
= 5,85 kΩ ( CHO β = 100 )
Zout = Rc = 2 kΩ
Ta có : rc = Rc//RL = 3*2/(3 + 2) = 1,2 kΩ
à AV
= rc/re = 1200 / 806.45 = 1,5
à Vout = AV Vin = 1,5*20mVp-p = 30mVp-p
2.
|
Cho mạch ở hình 4.26JC, hãy tính
Vc
=10.25 V; VB
= 3,8 V; VE
= 3.1 V; VCE
= 7,15 V; zin = 584Ω ; zout = 2 kΩ; Vout = 3,72 Vp-p;
Av
= 186
Tính tương tự như trên, các thông
số VC,VB,VE,VCE,Zout giữ nguyên
Nhưng re thay đổi re = re’ = 6,45Ω vì RE bị nối tắt bởi tụ C
à
Zin = r b//(βre) = 6316*100*6,45 / (6316 + 100*6,45)
= 584 Ω
AV = rc/re = 1200 / 6.45 = 186
Vout = AV Vin = 186*20mVp-p = 3,72 Vp-p
3. Cho mạch ở hình 4.27JC, hãy tính,
Vc
=10.25 V; VB
= 3,8 V; VE
= 3.1 V; VCE
= 7,15 V; zin = 3,9 kΩ; zout = 2 kΩ; Vout = 3,72 Vp-p; Av
= 186
Tính tương tự như trên, các thông số VC,VB,VE,VCE,Zout giữ nguyên
Nhưng re thay đổi re = re’ + Re = 100 + 6,45 = 106,45Ω vì RE bị nối tắt bởi tụ C
à Zin = r b//(βre) = 6316*100*106,45 / (6316 + 100*106,45) = 3,9 kΩ AV = rc/re = 1200 / 106.45 = 11,3
Vout = AV Vin = 11,3*20mVp-p = 226 mVp-p
4. Mức tín
hiệu lớn nhất để có thể cung cấp tại đầu vào của mạch ở hình 4.27JC,
trước khi tín hiệu
ra bắt đầu bị xén là bao nhiêu ?
200Л*10 ) = 159 µF
5. Nếu
tần số làm việc thấp nhất là 100Hz, hãy chọn trị số cho
C1, C2, và C3 trong mạch ở hình 4.27JC,
C1 = 4,08
µF; C2 = 5,3
µF;
C3 = 159 µF;
ta có : XCmax = 1/10 giá trị điện trở nối tiếp với tụ đó, từ đó
suy ra C= 1/( 2Лf XC )
Vậy C1 nối tiếp Zin à XC1 = 390 Ω à C1 = 1/(
200Л*390 ) = 4,08 µF
C2 nối tiếp RL à XC2
= 300 Ω à C2 = 1/(
200Л*300 ) = 5,3 µF
C3 nối tiếp Re à
XC1
= 10 Ω à C3 = 1/(
6.
|
Cho mạch ở hình 4.28JC, hãy tính:
Vc = . . . . ; VB = . . . .
; VE = . . . . ; VCE = . . . .
;
zin
= . . . .
;
zout = . . . . . ; Vout = . . . . ; Av = . . .
. .
B nối đất nên VB = 0 à VE = VB – VBE = 0 – 0,7 = - 0,7 V
à IE = (VEE – VE) / (RE + Re) = (- 12 + 0,7)/(300
+ 5300) = 2mA
à IC ≈ IE = 2 mA
à VRc = ICRc = 2*3,3 = 6,6 V
à VC = VCC – VRc = 12 – 6,6 = 5,4 V
à VCE
= VC – VE = 5,4 – (-0,7) = 6,1 V
Ta có : r b = Rb1 = 2 kΩ
Điện trở nội tiếp giáp : r'e = 25mV/IE = 25/2= 12,5 Ω
Vậy re = r'e + Re = 12,5 + 300 = 312,5 Ω
à Zin = r b//(βre) = 2000*100*312,5 / (2000 + 100*312,5)
= 1,9 kΩ ( CHO β = 100 )
3,3*6/(3,3 + 6) = 2,13 kΩ
/ 312,5 = 6,8
6,8*50mVp-p = 340mVp-p
Zout = Rc = 3,3 kΩ
Ta có : rc =
Rc//RL =
à
AV
= rc/re = 2130
à Vout = AV Vin =
tầng 2:
7. Hãy
xác định các trị số yêu cầu dưới đây cho mạch ở hình 4.29JC,
tầng 1:
VB = 4,8 V ; VE = 4,1 V;
VC =
8,8 V ;
Av =6,1;
zin =
3,8 kΩ;
zout =
1 kΩ
VB =
3,2 V; VE = 2,5 V; VC =
8V ;
Av = 12,7; zin = 1kΩ; zout = 390 Ω
Toàn bộ mạch:
Av =
77,4 ; zin = 3,8 kΩ ; zout = 390 Ω
Tính tương tự riêng rẻ cho từng tầng Nhưng :
- RL của tầng thứ 1 bằng Zin của tầng 2
8. Nếu
tần số làm việc thấp nhất là 1kHz, hãy chọn các giá
trị cho C1, C2, C3, C4, và C5 trong mạch ở hình 4.29JC,
C1 = 0,42 µF; C2 = 1,6
µF; C3 = 1,6
µF; C4 = 17,7 µF; C5 = 65,2
µF;
tương tự như bài số 5 trong đó :
|
C1 nối tiếp Zin1 à XC1 = 380 Ω à C1 = 1/( 2000Л*380
) = 0,42 µF C2 nối tiếp Zin2 à XC2 = 100 Ω à C2 = 1/( 2000Л*100 ) = 1,6 µF C3 nối tiếp RL2 à XC3 = 100 Ω à C3 = 1/( 2000Л*100 ) = 1,6 µF
C4 nối tiếp re1 à XC4 = 8,2Ω à C4 = 1/( 2000Л*8,98 ) = 17,7 µF C5 nối tiếp re2 à XC5 = 2,2Ω à C5 = 1/( 2000Л*2,4 ) = 65,2 µF
9. Hãy
tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 4.30JC,
tầng 1:
VB = 0V ; VE = - 0,7V ; VC = 3,8V ; Av = 1,7 ; zin = 360 kΩ ; zout = 6 kΩ
tầng 2:VB = 3,8V ; VE = 4,5V
; VC = 0,3V
; Av
= 4,6;
zin =740 kΩ; zout =
7,4 kΩ
Toàn mạch:
zin = 360 kΩ; zout =
7,4 kΩ; Av
= 7,8
tính tương tự riêng rẻ cho từng tầng nhưng VB của Q2 = VC của Q1
Rated 4.6/5 based on 28 votes
0 Response to "Tổng hợp câu hỏi trắc nghiệm bộ môn cấu kiện điện tử"
Post a Comment